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HN2301GN/HN2301BGN 20V P溝道增強(qiáng)型MOS管詳細(xì)解析
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-10-29 11:05:03 瀏覽人數(shù):15624

HN2301GN 與 HN2301BGN 是兩款20V P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用先進(jìn)溝槽工藝,主打低柵壓驅(qū)動(dòng)、低導(dǎo)通電阻、小體積負(fù)載開(kāi)關(guān)。二者封裝、電壓、電流規(guī)格幾乎一致,關(guān)鍵差異在于Rdson分檔:


參數(shù)HN2301GNHN2301BGN
VDS-20V-20V
ID(連續(xù))-3A-2.3A
RDS(ON)@VGS=-2.5V<140mΩ<175mΩ
RDS(ON)@VGS=-4.5V<110mΩ<150mΩ
封裝SOT-23SOT-23
功率耗散1W0.5W
結(jié)論:GN版電流更大、Rdson更低,適合高效率場(chǎng)合;BGN版價(jià)格更優(yōu),適合成本敏感型負(fù)載開(kāi)關(guān)。


技術(shù)亮點(diǎn):為什么叫“低柵壓神器”?


? 2.5V即可完全開(kāi)啟

  • VGS(th) = -0.4V~-1V,典型 -0.7V
  • MCU GPIO 3.3V 直接驅(qū)動(dòng),無(wú)需電平轉(zhuǎn)換
  • 鋰電池側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)省掉升壓電荷泵


? 超低導(dǎo)通電阻

  • GN:110mΩ(@VGS=-4.5V),4.5V軌效率更高
  • BGN:150mΩ(@VGS=-4.5V),成本下降約10%


? 小體積、大電流

  • SOT-23 封裝,占板 2.9mm×1.3mm
  • 脈沖電流 10A,輕松應(yīng)對(duì)熱插拔、電機(jī)啟動(dòng)


? 內(nèi)置體二極管

  • VSD = -1.2V@3A,反向續(xù)流,省掉外并肖特基
  • 適合 H橋、同步整流、反向電池保護(hù)


典型應(yīng)用:一顆MOS管,搞定三大場(chǎng)景


① 鋰電池側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)


BAT+ ──→ HN2301GN ──→ 負(fù)載
   │
  MCU GPIO(3.3V 直接驅(qū)動(dòng))

  • 關(guān)斷電流 <1μA,待機(jī)零損耗
  • 開(kāi)啟電阻 110mΩ,1A 壓降僅 110mV,發(fā)熱 0.11W


② 反向電池保護(hù)

外部電源 ──→ HN2301GN ──→ 系統(tǒng)
   │
  GND(柵極接地)
  • 電池反接時(shí) MOSFET 不導(dǎo)通,系統(tǒng)零電流
  • 正接時(shí) VGS=-Vbat,自動(dòng)開(kāi)啟,零額外功耗


③ PWM 小電機(jī)/LED 調(diào)光

MCU PWM ──→ 100Ω ──→ HN2301GN ──→ 電機(jī)
        │
        GND
  • 開(kāi)關(guān)時(shí)間 <50ns,100kHz 無(wú)壓力
  • Qg = 3.3nC,GPIO 驅(qū)動(dòng)電流 <1mA


實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):GN vs BGN 同條件對(duì)比


測(cè)試條件HN2301GNHN2301BGN
VGS=-4.5V, ID=-2A95mΩ125mΩ
VGS=-2.5V, ID=-1A120mΩ160mΩ
1A 壓降95mV125mV
表面溫升@1A8℃11℃
價(jià)格(1k)¥0.08¥0.06
結(jié)論:GN版效率更高、溫升更低;BGN版成本優(yōu),適合非連續(xù)電流場(chǎng)合。



選型速查表


應(yīng)用場(chǎng)景推薦型號(hào)理由
鋰電池負(fù)載開(kāi)關(guān)HN2301GN2.5V驅(qū)動(dòng),低損耗
反向電池保護(hù)HN2301GN/BGN體二極管續(xù)流,零外設(shè)
小電機(jī)PWMHN2301GNQg小,開(kāi)關(guān)快
LED調(diào)光/線(xiàn)性穩(wěn)壓HN2301BGN成本敏感,電流斷續(xù)
3.3V/5V電源ORingHN2301GN壓降低,熱損耗小


PCB Layout 3 條鐵律


  1. 柵極走線(xiàn)短而寬
    長(zhǎng)度 <10mm,寬度 >0.25mm,減少寄生電感,避免振鈴。
  2. Source 直接接銅皮
    SOT-23 的 2 腳(Source)鋪銅 ≥10mm2,過(guò)孔 3×3 到內(nèi)層,Rdson 再降 5mΩ
  3. Gate 加 100Ω 小電阻
    抑制振鈴,EMI 下降 3dB,尤其適合 PWM 應(yīng)用。


常見(jiàn)問(wèn)題速答


Q1. 2.5V 能完全開(kāi)啟嗎?

→ 典型 VGS(th)=-0.7V,-2.5V 已遠(yuǎn)大于閾值,Rdson 接近標(biāo)稱(chēng)值,放心用。


Q2. 能并聯(lián)提高電流嗎?

→ 可以,兩顆 Source 相連、Gate 串 10Ω,均流良好,6A 連續(xù)無(wú)壓力。


Q3. 體二極管能承受多大反向電流?
IS=-3A 連續(xù)-10A 脈沖(100μs),反向恢復(fù)時(shí)間 <50ns,無(wú)需外并肖特基


深圳三佛科技提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~


總結(jié):一顆小 MOS,解決“低電壓驅(qū)動(dòng)”大麻煩


HN2301GN/BGN 用 2.5V 超低柵壓、110mΩ 超低導(dǎo)通電阻、SOT-23 超小封裝,把 負(fù)載開(kāi)關(guān)、反接保護(hù)、PWM 調(diào)光 三大功能壓縮到一顆 3 腳器件里。無(wú)論是 鋰電池供電的 IoT 設(shè)備,還是 3.3V MCU 直接驅(qū)動(dòng)的電機(jī),甚至是 反接保護(hù)+ORing 電源,它都能用 最低成本、最小體積、最簡(jiǎn)設(shè)計(jì) 一次搞定。

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